Especificações Técnicas

OUTROS NUMEROS DE PEÇA PARA ESTE COMPONENTE: MZ-75E500BEU, MZ-75E500B, MZ-75E500 O QUE É A 3D V-NAND E DE QUE MODO DIFERE DA TECNOLOGIA EXISTENTE- A ARQUITETURA DE MEMORIA FLASH 3D V-NAND EXCLUSIVA E UNICA DA SAMSUNG CONSTITUI UM GRANDE AVANÇO, UMA VEZ QUE SUPEROU AS LIMITAÇOES DE DENSIDADE, DESEMPENHO E RESISTÊNCIA DA ATUAL ARQUITETURA NAND PLANAR CONVENCIONAL. A 3D V-NAND É FABRICADA EMPILHANDO 32 CAMADAS DE CÉLULAS VERTICALMENTE EM VEZ DE REDUZIR AS DIMENSOES DAS CÉLULAS E DE TENTAR ENCAIXÁ-LAS NUM ESPAÇO HORIZONTAL FIXO, RESULTANDO NUMA DENSIDADE SUPERIOR E NUM MELHOR DESEMPENHO NUM ESPAÇO MENOR. OTIMIZE A INFORMÁTICA DIÁRIA COM A TECNOLOGIA TURBOWRITE PARA ALCANÇAR VELOCIDADES DE LEITURA / ESCRITA IMPARES ALCANCE O DESEMPENHO MAIS AVANÇADO DE LEITURA / ESCRITA PARA MAXIMIZAR A SUA EXPERIÊNCIA INFORMÁTICA DIÁRIA COM A TECNOLOGIA TURBOWRITE DA SAMSUNG. NAO SO OBTÉM UMA EXPERIÊNCIA DE UTILIZAÇAO 10% SUPERIOR RELATIVAMENTE À 840 EVO*, COMO TAMBÉM VELOCIDADES DE ESCRITA ALEATORIA ATÉ 1,9X MAIS RÁPIDAS PARA OS MODELOS DE 120 / 250 GB**. A 850EVO OFERECE O MELHOR DESEMPENHO DA SUA CLASSE EM TERMOS DE VELOCIDADES DE LEITURA (540 MB/S) E ESCRITA (520 MB/S) SEQUENCIAL. PARA ALÉM DISSO, TAMBÉM ALCANÇA UM DESEMPENHO ALEATORIO OTIMIZADO EM TODOS OS QD PARA O CENÁRIO DE UTILIZAÇAO DE CLIENTE PC.  *PCMARK7 (250 GB): 6 700 (840 EVO) > 7 600 (850 EVO) **ESCRITA ALEATORIA (QD32,120 GB): 36 000 IOPS (840 EVO) > 88 000 IOPS (850 EVO) AUMENTE A VELOCIDADE COM O MODO RAPID MELHORADO O SOFTWARE MAGICIAN DA SAMSUNG OFERECE O MODO RAPID PARA ALCANÇAR VELOCIDADES DE PROCESSAMENTO DE DADOS 2X MAIS RÁPIDAS* AO NIVEL DO SISTEMA UTILIZANDO A MEMORIA DO PC (DRAM) NAO UTILIZADA COMO ARMAZENAMENTO CACHE. O MAGICIAN MAIS RECENTE AUMENTOU A UTILIZAÇAO MÁXIMA DA MEMORIA NO MODO RAPID DE 1 GB, NA VERSAO 840 EVO ANTERIOR, PARA ATÉ 4 GB NA VERSAO 850 EVO AO IMPLEMENTAR 16 GB DE DRAM. TAMBÉM SE OBTÉM UM AUMENTO DO DESEMPENHO DE 2X* EM TODAS AS PROFUNDIDADES DA FILA ALEATORIAS. *PCMARK7 RAW(250 GB): 7 500 > 15 000 (MODO RAPID) RESISTÊNCIA GARANTIDA E FIABILIDADE IMPULSIONADA PELA TECNOLOGIA 3D V-NAND A 850 EVO OFERECE UMA RESISTÊNCIA E FIABILIDADE GARANTIDAS AO DUPLICAR O VALOR DE TBW* EM COMPARAÇAO COM A GERAÇAO ANTERIOR DE 840 EVO** APOIADA POR UMA GARANTIA DE 5 ANOS LIDER DA INDUSTRIA. A 850 EVO, ATRAVÉS DA DEGRADAÇAO DO DESEMPENHO MINIMIZADA PERMITE MELHORIAS SUSTENTADAS DO DESEMPENHO ATÉ 30% RELATIVAMENTE À 840 EVO, REVELANDO-SE UM DOS DISPOSITIVOS DE ARMAZENAMENTO MAIS FIÁVEIS***. *TBW: TOTAL BYTES WRITTEN **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB) ***DESEMPENHO SUSTENTÁVEL (250 GB): 3 300 IOPS (840 EVO) > 6 500 IOPS (850 EVO), DESEMPENHO MEDIDO PASSADAS 12 HORAS EM TESTE DE ESCRITA ALEATORIA" PROLONGUE A UTILIZAÇAO GRAÇAS À EFICIÊNCIA ENERGÉTICA MELHORADA ATRAVÉS DE 3D V-NAND A 850 EVO OFERECE UMA AUTONOMIA DA BATERIA SIGNIFICATIVAMENTE SUPERIOR NO SEU COMPUTADOR PORTÁTIL COM UM CONTROLADOR OTIMIZADO PARA 3D V-NAND, QUE PERMITE A SUSPENSAO DO DISPOSITIVO EFICIENTE A 2 MW. A 850 EVO É AGORA 25% MAIS ENERGETICAMENTE EFICIENTE DO QUE A 840 EVO NAS OPERAÇOES DE ESCRITA* GRAÇAS A 3D V-NAND, CONSUMINDO APENAS METADE DA ENERGIA DA SOLUÇAO 2D NAND PLANAR. *POTÊNCIA (250 GB): 3,2 WATTS (840 EVO) > 2,4 WATTS (850 EVO) PROTEJA OS SEUS DADOS COM A ENCRIPTAÇAO AVANÇADA AES 256 A 850 EVO FOI REFORÇADA COM O MAIS RECENTE MOTOR DE ENCRIPTAÇAO DO DISCO TOTAL BASEADO EM HARDWARE. A TECNOLOGIA DE SEGURANÇA DE ENCRIPTAÇAO-BIT AES 256 PROTEGE OS DADOS SEM DEGRADAÇAO DO DESEMPENHO E ESTÁ EM CONFORMIDADE COM A NORMA TCG OPAL 2.0 SENDO TAMBÉM COMPATIVEL COM A MICROSOFT E-DRIVE IEEE1667. PROTEÇAO EFICAZ CONTRA O SOBREAQUECIMENTO DYNAMIC THERMAL GUARD A PROTEÇAO DYNAMIC THERMAL GUARD DA 850 EVO MONITORIZA E MANTÉM CONSTANTEMENTE AS TEMPERATURAS IDEAIS PARA O FUNCIONAMENTO EM OTIMAS CONDIÇOES. QUANDO AS TEMPERATURAS SOBEM ACIMA DO LIMITE IDEAL, A PROTEÇAO THERMAL GUARD REDUZ AUTOMATICAMENTE AS TEMPERATURAS, PROTEGENDO OS DADOS E MANTENDO A EFICÁCIA PARA ASSEGURAR PROTEÇAO CONTRA O SOBREAQUECIMENTO. MZ-75E500B/EU SAMSUNG SSD 850 EVO SATA3 6GBS 500GB 2.5IN MAIORES DETALHES DE MZ-75E500B/EU NO SITE DO FABRICANTE: HTTPS://WWW.SAMSUNG.COM/PT/MEMORY-STORAGE/850-EVO-SATA-3-2-5-INCH-SSD/MZ-75E500B TAGS DE MZ-75E500B/EU: SAMSUNG 3D V-NAND TECNOLOGIA, MZ-75E500B/AM, MZ-75E500BEU, MZ-75E500B, MZ-75E500, SSD 500GB 3D NAND

Informações Adicionais